产品简介："### 型号应用简介

STD47N10F7AG-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：TO252
该封装具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于需要单向电流控制的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V
能够承受高达 100V 的电压，适合中高电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.8V
低阈值电压使其在低电压驱动下也能高效工作。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了效率。


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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
STD47N10F7AG-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。其低导通电阻和高电流能力使其在电源模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动电路中，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机或 BLDC 电机。其高电压和电流能力使其能够处理电机启动和运行时的瞬态电流。

3. **LED 驱动模块**
适用于高功率 LED 驱动电路，尤其是在需要恒流控制的场合。其低导通电阻和高开关频率有助于提高 LED 驱动的效率和稳定性。