产品简介："### 型号应用简介

**BSC265N10LSF G-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和同步整流应用。

- **VDS（漏源电压）**：100V
支持高达 100V 的工作电压，适用于中高压电源系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V
低阈值电压有助于降低驱动功耗，提升系统效率。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，适用于高电流应用。


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### 应用领域及模块示例

1. **开关电源（SMPS）**
BSC265N10LSF G-VB 的低导通电阻和高开关频率使其非常适合用于开关电源中的同步整流和低侧开关。例如，在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，该器件可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动**
在无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动器中，该 MOSFET 可用于低侧开关或 H 桥电路。其高电流能力和低导通电阻使其能够承受电机启动时的高电流冲击，同时减少发热。