产品简介："### 型号应用简介

BSC160N10NS3 G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计场景。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: BSC160N10NS3 G-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**
BSC160N10NS3 G-VB 的低导通电阻和高开关效率使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器以及同步整流电路。例如，在服务器电源、通信电源和工业电源中，该器件可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
由于其高电流承载能力和快速开关特性，BSC160N10NS3 G-VB 可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动。在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）以及工业自动化设备中，该器件能够提供稳定的性能和高效的驱动能力。