产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：NVMFS016N10MCLT1G-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Single-N**
**主要参数：**
- **VDS（漏源电压）：100V**
- **VGS（栅源电压）：±20V**
- **Vthtyp（阈值电压）：1.8V**
- **RDS(ON)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **ID（漏极电流）：30A**
- **技术：SGT（Shielded Gate Trench）**

### 产品详细参数说明

NVMFS016N10MCLT1G-VB 是一款采用SGT技术的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流承载能力。其封装形式为DFN5X6，适用于高密度PCB设计。该器件在VGS=4.5V时的导通电阻为26mΩ，而在VGS=10V时进一步降低至21mΩ，表现出优异的开关性能。其阈值电压为1.8V，适合低电压驱动的应用场景。此外，该MOSFET的漏源电压（VDS）为100V，漏极电流（ID）为30A，能够满足多种高功率应用的需求。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NVMFS016N10MCLT1G-VB 适用于电源管理模块中的开关电源和DC-DC转换器。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源设计中表现出色，尤其是在需要高功率密度和高效率的场合。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机。其高VDS和ID参数使其能够承受电机启动时的高电流冲击，同时低导通电阻有助于减少功耗，提升系统效率。