产品简介："### 型号应用简介

**FDMC86102-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道场效应晶体管（MOSFET）**，采用 **DFN5X6** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：N沟道（Single-N）
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：26mΩ
- VGS=10V：21mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器
- **说明**：FDMC86102-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于高效率的电源管理模块。在开关电源和DC-DC转换器中，它可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、无人机、家用电器
- **说明**：在电机驱动模块中，FDMC86102-VB 的高电压和高电流特性使其能够驱动大功率电机，适用于电动工具、无人机等高功率应用。

3. **汽车电子模块**：
- **应用场景**：车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向（EPS）
- **说明**：在汽车电子领域，FDMC86102-VB 的高可靠性和高效率使其成为车载充电器和电池管理系统的理想选择。其高电压能力也适用于电动助力转向等关键系统。