产品简介："### 型号应用简介

**FDMC86160-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **N沟道 MOSFET**，采用 **DFN5X6** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：N沟道
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：26mΩ
- VGS=10V：21mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC转换器、AC-DC转换器
- **说明**：FDMC86160-VB 的低导通电阻和高开关速度使其非常适合用于高效率的电源管理模块。在开关电源和DC-DC转换器中，该器件可以有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，FDMC86160-VB 的高电流能力和低导通电阻使其能够有效驱动各种类型的电机，特别是在需要高功率输出的电动工具和工业电机中表现优异。

3. **汽车电子模块**：
- **应用场景**：车载充电器、电动助力转向系统、电池管理系统
- **说明**：FDMC86160-VB 的高电压和电流能力使其非常适合用于汽车电子模块。在车载充电器和电池管理系统中，该器件可以提供稳定的功率输出，确保系统的可靠性和安全性。