产品简介："### 型号应用简介

**FDMC86160ET100-VB** 是VBsemi品牌推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率应用场景，特别是在需要高效能和可靠性的领域。其封装形式为DFN5X6，体积小巧，便于集成到紧凑的电路设计中。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压（VDS）**：100V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC转换器、AC-DC转换器
- **说明**：FDMC86160ET100-VB的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高转换效率。特别是在高功率密度设计中，其DFN5X6封装有助于减小模块体积，提升整体性能。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，FDMC86160ET100-VB的高VDS和低RDS(on)特性使其能够承受高电压和大电流，确保电机在各种负载条件下稳定运行。其快速开关特性也有助于提高电机的响应速度和效率。