产品简介："**型号简介：FDMS3662-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**关键参数：**
- 沟道类型：Single-N
- 漏源电压（VDS）：100V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 典型阈值电压（Vthtyp）：1.8V
- 在VGS=4.5V时的导通电阻（RDS(on)）：26mΩ
- 在VGS=10V时的导通电阻（RDS(on)）：21mΩ
- 最大漏极电流（ID）：30A
- 技术：SGT（Shielded Gate Trench）

**产品简介：**
FDMS3662-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件在 4.5V 和 10V 的栅极驱动电压下分别提供 26mΩ 和 21mΩ 的低导通电阻，适用于高效率的功率转换应用。其 100V 的漏源电压和 30A 的电流能力使其在多种高功率应用中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块**：FDMS3662-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块，尤其是在需要低导通损耗和高电流处理能力的场合。

2. **电机驱动模块**：由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件非常适合用于电机驱动模块，如电动工具、无人机电机驱动和工业自动化中的电机控制。

3. **电池管理系统（BMS）**：在电动车、储能系统等电池管理系统中，FDMS3662-VB 可以用于电池充放电控制模块，提供高效的功率开关解决方案。

4. **LED 驱动模块**：该器件可用于高功率 LED 驱动模块，提供稳定的电流控制和高效的功率转换。