产品简介："### 型号应用简介

NTMFS6B14NT3G-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高功率和高效率的应用场景，特别是在需要快速开关和低损耗的场合。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 转换器
- **说明**：NTMFS6B14NT3G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，特别是在高效率的开关电源设计中。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：在电机驱动模块中，该 MOSFET 能够提供高电流输出，同时保持较低的导通损耗。其高 VDS 和 VGS 范围使其适用于各种电机驱动电路，确保电机运行的稳定性和可靠性。