产品简介："**型号简介：NVMFS6B14NT3G-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single-N
- **漏源电压 (VDS)：** 100V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))：**
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)：** 30A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench）技术

**产品简介：**
NVMFS6B14NT3G-VB 是一款采用 SGT 技术的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻和高电流处理能力，适用于高效率和高功率密度的应用场景。其紧凑的 DFN5X6 封装设计使其在空间受限的应用中表现出色。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 适用于开关电源、DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器，能够有效降低功耗并提高转换效率。
2. **电机驱动模块：** 适用于电动工具、家用电器和工业电机驱动，提供高电流和低导通电阻，确保电机的高效运行。
3. **电池管理系统 (BMS)：** 适用于电动车辆、无人机和便携式设备的电池保护电路，确保电池的安全和高效使用。
4. **LED 驱动模块：** 适用于高亮度 LED 照明系统，提供稳定的电流输出，延长 LED 寿命。
5. **通信设备：** 适用于基站、路由器等通信设备的电源和信号处理模块，确保设备的高效和可靠运行。