产品简介："### 型号应用简介

STP80NF10-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源管理和开关电路，广泛应用于工业、消费电子、汽车电子等领域。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于低侧开关和同步整流应用。

- **VDS（漏源电压）**：100V
高耐压能力使其适用于中高压电源系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅极电压范围提供更高的设计灵活性。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.8V
低阈值电压有助于降低驱动电路的复杂性。

- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。


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### 应用领域及模块

1. **工业电源模块**
STP80NF10-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于工业电源模块，如 AC-DC 转换器、DC-DC 变换器和电机驱动电路。其高耐压特性可满足工业环境中的高电压需求。

2. **消费电子**
在消费电子产品中，如笔记本电脑适配器、LED 驱动器和快充电源，STP80NF10-VB 的高效率和紧凑封装有助于实现小型化和节能设计。