产品简介："### 型号应用简介

STP80NF10FP-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高电流承载能力

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**：STP80NF10FP-VB
- **品牌**：VBsemi
- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Single-N（N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：26mΩ
- VGS=10V 时：21mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
STP80NF10FP-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。例如，在笔记本电脑适配器、服务器电源和通信设备电源中，该器件可以有效降低功耗并提升转换效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机电机和家用电器（如吸尘器、洗衣机）中，STP80NF10FP-VB 能够提供高效的功率开关性能，确保电机运行的稳定性和高效性。

3. **电池保护模块**
该 MOSFET 适用于锂电池保护电路，如电动自行车、电动滑板车和便携式储能设备的电池管理系统（BMS）。其低导通电阻有助于减少能量损耗，延长电池续航时间。