产品简介：" 型号应用简介

STP45N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装形式具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道设计，适用于需要高电流和低导通电阻的应用。

- **VDS（漏源电压）**：100V
该器件能够承受高达 100V 的电压，适用于中高电压应用场景。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极驱动电压范围宽，兼容多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V
低阈值电压使其在低电压驱动下也能高效工作。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。



应用领域及模块

1. **电源管理模块**
STP45N10F7-VB 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和开关电源（SMPS）。其低导通电阻和高开关频率使其能够显著提高电源转换效率，减少发热，延长设备寿命。例如，在笔记本电脑电源适配器中，该器件可用于主功率开关，提供高效的能量转换。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 适用于无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动电路。其高电流承载能力和低导通电阻使其能够有效驱动电机，减少能量损耗。例如，在电动工具或家用电器（如吸尘器、搅拌机）中，STP45N10F7-VB 可用于电机驱动模块，提供稳定的动力输出。