产品简介："### 型号应用简介

STL60N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。该器件适用于高效率、高功率密度的电源转换和电机驱动应用。其封装为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STL60N10F7-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域与模块

1. **电源转换模块**
STL60N10F7-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。其低导通电阻和高开关频率特性使其在降压、升压和反激式拓扑中表现优异，特别适合用于服务器电源、通信电源和工业电源模块。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 的高电流承载能力和低导通损耗使其成为电机驱动应用的理想选择。它可以用于电动工具、无人机、机器人以及家用电器中的无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机驱动电路。