产品简介："### 型号应用简介

STL8N10F7-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻、高开关速度和优异的散热性能。该器件适用于高功率密度和高效率的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护等领域。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STL8N10F7-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
STL8N10F7-VB 的低导通电阻和高开关频率使其非常适合用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器和开关电源模块。其高效的功率转换能力可以显著降低能量损耗，提升系统整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、无人机和家用电器，STL8N10F7-VB 的高电流承载能力和快速开关特性能够有效控制电机转速和扭矩，同时减少发热和能量损耗。