产品简介："**型号简介：STP60NF10-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：DFN5X6**

**沟道类型：Single-N**

**关键参数：**
- **VDS（漏源电压）：** 100V
- **VGS（栅源电压）：** ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）：** 1.8V
- **RDS(on)（导通电阻）：**
- VGS=4.5V时：26mΩ
- VGS=10V时：21mΩ
- **ID（最大漏极电流）：** 30A
- **技术：** SGT（Shielded Gate Trench，屏蔽栅沟槽技术）

**产品简介：**
STP60NF10-VB 是一款由 VBsemi 推出的高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT 技术，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 DFN5X6 封装设计使其在紧凑的空间中也能提供出色的散热性能和电气性能。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流承载能力，STP60NF10-VB 非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统（BMS）中，能够有效降低功耗并提升系统效率。

2. **电机驱动模块：** 在电机驱动应用中，如电动工具、无人机、家用电器和工业自动化设备中，STP60NF10-VB 能够提供稳定的高电流输出，确保电机的高效运行和快速响应。

3. **LED 驱动模块：** 在 LED 照明系统中，该 MOSFET 可用于恒流驱动电路，确保 LED 的稳定亮度和长寿命。

4. **汽车电子模块：** 由于其高耐压和低导通电阻特性，STP60NF10-VB 也适用于汽车电子中的电源管理、电机控制和 LED 驱动等应用，满足汽车电子对可靠性和高效能的需求。