产品简介："### 型号应用简介

STL45N10F7AG-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 SGT（Shielded Gate Trench）技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于高效率、高功率密度的应用场景，广泛应用于电源管理、电机驱动、逆变器等领域。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合空间受限的设计。

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: STL45N10F7AG-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: DFN5X6
- **沟道类型**: Single-N（单 N 沟道）
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：26 mΩ
- VGS=10V 时：21 mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: SGT（Shielded Gate Trench）

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### 应用领域与模块举例

1. **电源管理模块**
STL45N10F7AG-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和同步整流电路。例如，在服务器电源、通信设备电源或工业电源模块中，该器件可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器（如洗衣机、吸尘器）或工业电机控制器中，STL45N10F7AG-VB 的高开关速度和低导通损耗可以显著提高电机控制的响应速度和能效。