产品简介："### 型号应用简介

**HT8KE5-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装设计适合空间受限的应用场景，同时具有良好的散热性能。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计支持双向电流控制，适用于需要高效率和快速开关的电路。

- **VDS（漏源电压）**：100V
高耐压能力使其适用于中高电压的电源系统和电机驱动。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅源电压范围提供了更高的设计灵活性，适应多种驱动电路。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.8V
低阈值电压有助于降低驱动功耗，提升系统效率。

- **RDS(on)（导通电阻）**：71mΩ @ VGS=10V
低导通电阻减少了功率损耗，适合高电流应用。

- **ID（漏极电流）**：12.1A
高电流承载能力使其能够处理大功率负载。


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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
HT8KE5-VB 适用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力可显著提升电源效率，减少发热，延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
在工业电机驱动和消费类电子产品（如无人机、电动工具）中，该器件能够提供高效的功率控制和快速开关性能，适用于 BLDC 电机驱动和步进电机驱动。