产品简介："### 型号应用简介

AONH36328-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，适用于半桥拓扑结构。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。其低 Vth 和宽 VGS 范围使其在低电压和高效率应用中表现出色。

---

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: AONH36328-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: QFN8(3X3)
- **沟道类型**: Half-Bridge-N+N
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vthtyp (阈值电压)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ
- **ID (漏极电流)**: 35A
- **技术**: Trench

---

### 应用领域及模块举例

1. **电源管理模块**
AONH36328-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和同步整流电路。例如，在笔记本电脑、服务器电源和便携式设备的电源模块中，该器件可以有效降低功耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
由于其半桥结构设计，AONH36328-VB 非常适合用于电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具和家用电器中的电机控制模块。其低 Vth 和快速开关特性能够实现精确的电机控制和高效的能量转换。