产品简介："### 型号应用简介

VBQF3310G 是 VBsemi 公司推出的一款高性能半桥 N+N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装形式适合高密度 PCB 设计，减少占板面积，同时提供良好的热传导性能。

- **沟道类型**：Half-Bridge-N+N
半桥结构设计，适用于需要双向电流控制的电路，如电机驱动和同步整流。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适合低压至中压应用场景，如电池供电设备、DC-DC 转换器和低压电机驱动。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽泛的栅极驱动电压范围，兼容多种控制器和驱动电路。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压使其能够在低电压驱动条件下高效工作，适合低功耗应用。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。


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### 应用领域与模块

1. **DC-DC 转换器**
VBQF3310G 的低导通电阻和高开关频率特性使其非常适合用于同步整流和降压/升压转换器模块。例如，在便携式设备、服务器电源和通信设备中，该器件可以有效提高转换效率并减少热损耗。

2. **电机驱动**
由于其半桥结构和高达 35A 的电流承载能力，VBQF3310G 非常适合用于低压电机驱动模块，如无人机、机器人、电动工具和家用电器中的 BLDC（无刷直流）电机驱动。