产品简介："### 型号应用简介

**HS8K1-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能半桥 N+N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装设计适合高密度 PCB 布局，适用于空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Half-Bridge-N+N
双 N 沟道结构支持半桥拓扑，适用于同步整流、DC-DC 转换器等电路。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适合低压应用，如 12V 或 24V 系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅极电压范围提供更高的设计灵活性。

- **Vth（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压使其在低电压驱动下也能高效工作。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ




### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
HS8K1-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和低压电源模块。例如，在 12V 输入的 Buck 或 Boost 转换器中，它可以显著降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在低压电机驱动（如无人机、机器人、电动工具）中，HS8K1-VB 的半桥结构可用于 H 桥驱动电路，实现高效、精准的电机控制。其低 Vth 和快速开关特性有助于提高响应速度和降低功耗。

3. **电池保护模块**
在锂电池保护电路（如 BMS 电池管理系统）中，HS8K1-VB 可用于充放电控制，确保电池在安全电压范围内工作。其低导通电阻减少了热损耗，延长了电池寿命。