产品简介："### 型号应用简介

SiZ340BDT-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，适用于半桥拓扑结构。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。其低 Vth 和宽 VGS 范围使其在低电压和高效率应用中表现出色。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: SiZ340BDT-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: QFN8(3X3)
- **沟道类型**: Half-Bridge-N+N
- **VDS（漏源电压）**: 30V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vth（阈值电压）**: 1.7V（典型值）
- **导通电阻（RDS(on)）**:
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ
- **ID（漏极电流）**: 35A
- **技术**: Trench（沟槽工艺）

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SiZ340BDT-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于高效率的 DC-DC 转换器和电源管理模块。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该器件可以有效降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
由于其半桥结构和优异的开关性能，SiZ340BDT-VB 非常适合用于电机驱动模块，如无人机、电动工具和家用电器中的电机控制。其低 Vth 和快速开关特性可以显著提高电机的响应速度和效率。