产品简介："### 型号应用简介

**SiZ340ADT-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，适用于多种高效率和低功耗的应用场景

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装设计适合空间受限的应用场景，同时提供良好的散热性能。

- **沟道类型**：Half-Bridge-N+N
半桥结构支持双向电流控制，适用于需要高效能量转换的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适用于低压至中压应用场景，如电池供电设备和低压电源模块。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅极电压范围提供更高的设计灵活性，适应不同的驱动电路需求。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压确保在低电压驱动下也能实现高效开关。

- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ
低导通电阻显著降低功率损耗，提升系统效率。

- **ID（漏极电流）**：35A
高电流承载能力适合大功率应用场景。



### 应用领域及模块示例

1. **电机驱动模块**
SiZ340ADT-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电机驱动模块，如无人机、电动工具和家用电器中的无刷直流电机（BLDC）驱动。其半桥结构能够高效控制电机的正反转和调速。

2. **电源管理模块**
在 DC-DC 转换器和同步整流器中，SiZ340ADT-VB 的低导通电阻和快速开关特性可以有效降低功率损耗，提升电源转换效率，适用于笔记本电脑、服务器电源和便携式设备。