产品简介："### 型号应用简介

**SiZ328DT-VB** 是由 **VBsemi** 推出的一款高性能 **Half-Bridge-N+N** 沟道 MOSFET，采用 **QFN8(3X3)** 封装

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: SiZ328DT-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: QFN8(3X3)
- **沟道类型**: Half-Bridge-N+N
- **VDS (漏源电压)**: 30V
- **VGS (栅源电压)**: ±20V
- **Vthtyp (典型阈值电压)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：16mΩ
- VGS=10V 时：9mΩ
- **ID (漏极电流)**: 35A
- **技术**: Trench

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
SiZ328DT-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 **DC-DC 转换器** 和 **同步整流电路**。例如，在 **笔记本电脑**、**服务器电源** 和 **通信设备** 的电源模块中，它可以显著提高转换效率并减少能量损耗。

2. **电机驱动模块**
由于其 **Half-Bridge-N+N** 结构，SiZ328DT-VB 非常适合用于 **电机驱动电路**，尤其是在 **无人机**、**机器人** 和 **电动工具** 等需要高效、紧凑设计的应用中。其低导通电阻和高开关频率能够有效降低电机驱动中的热量产生，延长设备寿命。