产品简介："### 型号应用简介

**SiZ346DT-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能半桥 N+N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，适用于高效率、高功率密度的电源管理和电机驱动应用。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装设计适合高密度 PCB 布局，适用于空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Half-Bridge-N+N
双 N 沟道设计，支持半桥拓扑结构，适用于同步整流和电机驱动。

- **VDS（漏源电压）**：30V
适合低压应用，如电池供电系统、便携式设备和低电压 DC-DC 转换器。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽泛的栅极驱动电压范围，兼容多种驱动电路设计。

- **Vthtyp（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压确保在低电压下快速开启，适合高效能转换。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：16mΩ
- VGS=10V：9mΩ
低导通电阻减少功率损耗，提升系统效率。



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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
SiZ346DT-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于同步整流 DC-DC 转换器、降压（Buck）和升压（Boost）转换器。例如，在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑）的电源管理模块中，该器件可以有效降低功耗，延长电池寿命。

2. **电机驱动模块**
由于其半桥 N+N 沟道设计，SiZ346DT-VB 非常适合用于电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具和家用电器中的无刷直流（BLDC）电机驱动模块。其高电流能力和低导通电阻确保电机运行的高效性和稳定性。