产品简介："### 型号应用简介

VBQF3638 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。该器件适用于高效率、高功率密度的电源管理和功率转换应用。其优异的电气性能和紧凑的封装设计使其成为现代电子设备中不可或缺的元件，尤其是在需要高可靠性和高效率的场合。

---

### 产品详细参数说明

- **型号名称**: VBQF3638
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: QFN8(3X3)
- **沟道类型**: Dual-N+N（双 N 沟道）
- **VDS（漏源电压）**: 60V
- **VGS（栅源电压）**: ±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：38 mΩ
- VGS=10V 时：28 mΩ
- **ID（漏极电流）**: 25A
- **技术**: Trench（沟槽技术）

---

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
VBQF3638 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，它可以有效降低功耗并提高转换效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如无人机、电动工具和家用电器，VBQF3638 的高耐压和快速开关特性能够实现高效的电机控制，同时减少热量产生，延长设备寿命。