产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：DMTH6015LDVWQ-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：QFN8(3X3)**
**沟道类型：Dual-N+N**
**VDS：60V**
**VGS：±20V**
**Vthtyp：1.7V**
**VGS=4.5V时RDS(on)：38mΩ**
**VGS=10V时RDS(on)：28mΩ**
**ID：25A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

DMTH6015LDVWQ-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的双 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。其阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，在 VGS=4.5V 时导通电阻（RDS(on)）为 38mΩ，在 VGS=10V 时导通电阻降至 28mΩ，最大连续漏极电流（ID）为 25A。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合高效率的电源管理和功率转换应用。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMTH6015LDVWQ-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其能够在高效率的电源转换中减少能量损耗，提升系统整体性能。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机。其高开关速度和低导通电阻使其能够在电机控制中实现快速响应和高效能转换，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。