产品简介："### 型号应用简介

VBQF2610N 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
紧凑的封装设计适合高密度 PCB 布局，适用于空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Single P（单 P 沟道）
适用于需要负电压驱动的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：-60V
高耐压能力使其适用于中高功率应用，如电源转换和电机驱动。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽范围的栅极电压支持灵活的驱动设计。

- **Vthtyp（阈值电压）**：-2.0V
低阈值电压有助于降低驱动电路的功耗。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：140mΩ
- VGS=10V 时：120mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。

- **ID（漏极电流）**：-5A
适合中小功率应用，如便携式设备和低功耗模块。

- **技术**：Trench（沟槽技术）
沟槽技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度。

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### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
VBQF2610N 的低导通电阻和高耐压特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和电源开关模块。例如，在便携式设备（如智能手机、平板电脑）中，它可以用于电池充放电管理和电源路径控制。

2. **电机驱动模块**
由于其高耐压和快速开关特性，VBQF2610N 可用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人、电动工具等。在这些应用中，它可以有效控制电机的启停和速度调节。