产品简介："### 型号应用简介

**DMPH6050SFGQ-VB** 是由 **VBsemi** 推出的一款高性能 **Single P-Channel** 沟道 MOSFET，采用 **QFN8(3X3)** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
该封装具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合高密度电路设计。

- **沟道类型**：Single P-Channel
该器件为单P沟道MOSFET，适用于需要P沟道器件的电路设计。

- **VDS**：-60V
漏源电压为-60V，适用于高电压应用场景。

- **VGS**：±20V
栅源电压范围为±20V，提供了较高的栅极驱动电压范围。

- **Vthtyp**：-1.6V
典型阈值电压为-1.6V，适合低电压驱动的应用。

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V时：75mΩ
- VGS=10V时：60mΩ
低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。

- **ID**：-11A
最大漏极电流为-11A，适合中等功率的应用。

- **技术**：Trench
Trench技术提供了低导通电阻和高开关速度，适合高频开关应用。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMPH6050SFGQ-VB 适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器和电池保护电路。其低导通电阻和高开关速度有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和方向切换。其高电压和电流能力使其适合驱动中小型电机。