产品简介："### 型号应用简介

**ISZ810P06LM-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款高性能 **P沟道 MOSFET**，采用 **QFN8(3X3)** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：P沟道（Single P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vthtyp）**：-1.6V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V时：75mΩ
- VGS=10V时：60mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：-11A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：ISZ810P06LM-VB 适用于 **DC-DC转换器**、**电池保护电路** 和 **电源开关** 等电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中表现出色，尤其是在需要低功耗和高效率的便携式设备中。
- **模块示例**：在 **智能手机** 和 **平板电脑** 的电源管理模块中，该器件可用于电池充放电保护电路，确保设备在低电压下仍能高效工作。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于 **电机驱动电路**，尤其是需要高电流和低导通电阻的场合。其高耐压和低阈值电压使其在 **电动工具**、**家用电器** 和 **工业自动化设备** 的电机控制中表现优异。
- **模块示例**：在 **电动工具** 如电钻和电锯中，ISZ810P06LM-VB 可用于电机驱动模块，提供高效、可靠的功率输出。