产品简介："**型号简介：DMN6069SFG-VB**

**品牌：VBsemi**

**封装：QFN8(3X3)**

**主要参数：**
- **沟道类型：** Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)：** 60V
- **栅源电压 (VGS)：** ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)：** 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))：**
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ
- **最大漏极电流 (ID)：** 30A
- **技术：** Trench

**产品简介：**
DMN6069SFG-VB 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。其 60V 的漏源电压和 30A 的最大漏极电流使其适用于多种高功率应用场景。此外，该器件具有较低的阈值电压和优异的栅极控制特性，能够在低电压下实现高效开关。

**适用领域及模块：**
1. **电源管理模块：** 由于其低导通电阻和高电流能力，DMN6069SFG-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电源开关模块中，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块：** 该器件适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低损耗的场合，如电动工具、无人机电机驱动和家用电器中的电机控制。

3. **电池管理系统 (BMS)：** 在电池保护电路和充放电控制模块中，DMN6069SFG-VB 可以提供可靠的开关性能，确保电池的安全和高效管理。

4. **LED 驱动模块：** 由于其低导通电阻和高开关频率特性，该器件也适用于 LED 驱动电路，能够提供稳定的电流输出并减少能量损耗。