产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：DMN6069SFGQ-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：QFN8(3X3)**
**沟道类型：Single N-Channel**
**VDS（漏源电压）：60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：1.7V**
**RDS(ON)（导通电阻）：VGS=4.5V时35mΩ，VGS=10V时28mΩ**
**ID（最大漏极电流）：30A**
**技术：Trench（沟槽技术）**

### 产品详细参数说明

DMN6069SFGQ-VB 是一款采用 QFN8(3X3) 封装的 N 沟道 MOSFET，具有 60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS）范围。该器件的典型阈值电压（Vthtyp）为 1.7V，在 VGS=4.5V 时的导通电阻（RDS(ON)）为 35mΩ，在 VGS=10V 时的导通电阻为 28mΩ。其最大漏极电流（ID）可达 30A，采用先进的沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高电流处理能力。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMN6069SFGQ-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统。其低导通电阻和高电流处理能力使其在高效能电源转换中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，该 MOSFET 可以用于驱动直流电机、步进电机和伺服电机。其高电流处理能力和低导通电阻使其在电机控制应用中能够提供稳定的性能和高效的能量转换。