产品简介："### 型号应用简介

**DMNH6069SFVWQ-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率密度和高效率的应用场景。
### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
该封装具有紧凑的尺寸和优异的散热性能，适合高密度 PCB 布局。

- **沟道类型**：Single N-Channel
单 N 沟道设计，适用于需要单向电流控制的电路。

- **VDS（漏源电压）**：60V
最大漏源电压为 60V，适合中高电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围宽，支持多种驱动电压条件。

- **Vth（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压，适合低电压驱动电路。

- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了效率。



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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMNH6069SFVWQ-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。例如，在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该器件可以有效降低功率损耗，提高整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，如无人机、电动工具和家用电器，该 MOSFET 可以用于 H 桥电路或半桥电路，实现高效的电机控制。其高电流能力和快速开关特性有助于提高电机响应速度和运行效率。