产品简介："### 型号应用简介

**DMN6069SFVW-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于高效率、高功率密度的电源管理和开关应用，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)


- **沟道类型**：Single N-Channel


- **VDS（漏源电压）**：60V


- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极电压范围宽，适应多种驱动条件。

- **Vth（阈值电压）**：1.7V


- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ



### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
DMN6069SFVW-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。例如，在笔记本电脑、服务器电源和便携式设备中，它可以显著提高电源效率。

2. **电机驱动模块**
在工业控制和家电领域，该 MOSFET 可用于电机驱动电路，如电动工具、无人机和家用电器（如洗衣机、冰箱）中的电机控制模块。其高电流能力和低导通电阻确保了电机的高效运行。

3. **LED 驱动模块**
该器件适用于 LED 照明驱动电路，特别是在需要高效率和稳定性的场景中，如商业照明、汽车照明和户外 LED 显示屏。