产品简介："### 型号应用简介

SiS4634LDN-VB 是由 VBsemi 公司生产的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，适用于多种高功率和高效率的应用场景。其设计基于先进的 Trench 技术，能够在高电压和高电流条件下保持稳定的性能。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single-N
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：35 mΩ
- VGS=10V 时：28 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- SiS4634LDN-VB 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统等电源管理模块。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高效能电源转换中表现出色，能够有效降低功耗并提高系统效率。

2. **电机驱动模块**：
- 在电机驱动应用中，如电动工具、家用电器和工业自动化设备，SiS4634LDN-VB 可以提供稳定的电流输出和快速的开关响应，确保电机的高效运行和精确控制。

3. **LED 驱动模块**：
- 该 MOSFET 适用于 LED 驱动电路，特别是在高亮度 LED 和 LED 显示屏驱动中。其高电压和电流处理能力使其能够驱动大功率 LED 模块，同时保持低功耗和高可靠性。