产品简介："### 型号应用简介

**SiS9634LDN-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
该封装形式具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度电路设计。

- **沟道类型**：Single-N
单 N 沟道 MOSFET，适用于低侧开关应用。

- **VDS（漏源电压）**：60V
该器件能够承受高达 60V 的漏源电压，适合中高电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅源电压范围宽，提供了更大的设计灵活性。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：1.7V
低阈值电压使得该器件在低电压驱动下也能有效工作。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了系统效率。



### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SiS9634LDN-VB 适用于 DC-DC 转换器、开关电源和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提高效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该 MOSFET 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高开关速度和低导通电阻使其在电机驱动模块中表现出色，尤其是在需要快速响应的场合。

3. **LED 驱动模块**
该器件适用于 LED 驱动电路，尤其是在需要高效率和精确控制的场合。其低导通电阻和高电流能力使其在 LED 驱动模块中能够有效降低功耗，延长 LED 寿命。