产品简介："### 型号应用简介

**SQS460EN-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种高效率和低功耗的应用场景，特别是在需要高开关频率和低损耗的电路中表现出色。其优异的电气特性和紧凑的封装使其成为现代电子设备中的理想选择。

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### 产品详细参数说明

- **型号名称**: SQS460EN-VB
- **品牌**: VBsemi
- **封装**: QFN8(3X3)
- **沟道类型**: N 沟道 (Single N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- VGS=4.5V 时：35 mΩ
- VGS=10V 时：28 mΩ
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: Trench (沟槽技术)

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SQS460EN-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器和开关电源模块。其高效的开关性能可以显著降低功耗，提升电源效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动电路中，该 MOSFET 能够提供稳定的电流输出，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制模块。其高 VDS 和低 RDS(on) 特性确保了电机驱动的高效性和可靠性。