产品简介："### 型号应用简介

**SQS460ENW-VB** 是 VBsemi 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于多种电源管理和功率开关应用，尤其是在需要高效率和高可靠性的场合。其低阈值电压和优异的开关特性使其成为现代电子设备中的理想选择。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
- **沟道类型**：Single N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：35 mΩ
- VGS=10V 时：28 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：30A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：SQS460ENW-VB 适用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统中的电源开关。其低导通电阻和高电流能力确保了高效率的电源转换，减少了能量损耗。
- **模块**：在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中，该 MOSFET 可以用于同步整流和负载开关，提高整体电源效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：在电机驱动电路中，SQS460ENW-VB 可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和快速开关特性使其非常适合用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动。
- **模块**：在电动自行车、无人机和机器人等设备的电机驱动模块中，该 MOSFET 可以提供可靠的功率开关，确保电机的高效运行。