产品简介："### 型号应用简介

**型号名称**: SQS462EN-VB
**品牌**: VBsemi
**封装**: QFN8(3X3)
**沟道类型**: Single N-Channel
**VDS**: 60V
**VGS**: ±20V
**Vthtyp**: 1.7V
**VGS=4.5V时RDS(on)**: 35mΩ
**VGS=10V时RDS(on)**: 28mΩ
**ID**: 30A
**技术**: Trench

### 产品详细参数说明

SQS462EN-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的 N 沟道 MOSFET，采用 QFN8(3X3) 封装。该器件具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，适用于中高功率应用。其典型的阈值电压 (Vthtyp) 为 1.7V，在 VGS=4.5V 时的导通电阻 (RDS(on)) 为 35mΩ，而在 VGS=10V 时则降至 28mΩ。该 MOSFET 的最大漏极电流 (ID) 为 30A，采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SQS462EN-VB 适用于各种电源管理模块，如 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源设计中表现出色，特别是在需要高效率和低功耗的应用中。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，SQS462EN-VB 可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机、步进电机和伺服电机。其高电流能力和低导通电阻使其在电机控制电路中能够提供稳定的性能和高效的能量转换。