产品简介："### 型号应用简介

**SQS462ENW-VB** 是由 **VBsemi** 推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 **QFN8(3X3)** 封装，适用于高功率密度和高效率的应用场景。

### 产品详细参数说明

- **封装**：QFN8(3X3)
该封装形式具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合空间受限的应用场景。

- **沟道类型**：Single N-Channel
单 N 沟道设计，适用于需要单向电流控制的电路。

- **VDS（漏源电压）**：60V
能够承受高达 60V 的电压，适合中高电压应用。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极电压范围宽，提供灵活的驱动选择。

- **Vth（阈值电压）**：1.7V
低阈值电压有助于降低驱动电路的复杂性。

- **RDS(ON)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V 时：35mΩ
- VGS=10V 时：28mΩ
低导通电阻减少了功率损耗，提高了效率。

- **ID（漏极电流）**：30A
高电流承载能力，适合大功率应用。

- **技术**：Trench
沟槽技术提供了更低的导通电阻和更高的开关速度。

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
SQS462ENW-VB 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统（BMS）。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源转换中表现出色，尤其是在需要高功率密度的便携式设备和工业电源中。

2. **电机驱动模块**
该 MOSFET 可用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）和有刷直流电机的驱动。其高电流承载能力和快速开关特性使其在电机控制中能够提供高效的功率输出和精确的控制。