产品简介："### 型号应用简介

**型号名称：DMPH6050SPDQ-VB**
**品牌：VBsemi**
**封装：DFN5X6**
**沟道类型：Dual-P+P**
**VDS（漏源电压）：-60V**
**VGS（栅源电压）：±20V**
**Vthtyp（典型阈值电压）：-1.6V**
**VGS=4.5V时导通电阻：75(mΩ)**
**VGS=10V时导通电阻：60(mΩ)**
**ID（漏极电流）：-11A**
**技术：Trench**

### 产品详细参数说明

DMPH6050SPDQ-VB 是一款由 VBsemi 生产的双 P 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。该器件具有 -60V 的漏源电压（VDS）和 ±20V 的栅源电压（VGS），适用于高电压应用。其典型阈值电压（Vthtyp）为 -1.6V，表明它在较低的栅极电压下即可开启。在 VGS=4.5V 时，导通电阻为 75mΩ，而在 VGS=10V 时，导通电阻降低至 60mΩ，显示出其在高栅极电压下的优异导通性能。该器件的漏极电流（ID）为 -11A，适用于中等电流负载。采用 Trench 技术，进一步提升了其开关效率和热性能。

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
DMPH6050SPDQ-VB 适用于电源管理模块，特别是在需要高效率和高电压耐受能力的场合。例如，它可以用于 DC-DC 转换器、电池保护电路和电源开关模块。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理系统中能够有效减少能量损耗，提升整体效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动模块中，DMPH6050SPDQ-VB 可以用于控制电机的启动、停止和方向切换。其双 P 沟道设计使其在 H 桥电路中表现出色，能够有效驱动直流电机或步进电机。