产品简介："### 型号应用简介

**BSC112N06LD-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 **DFN5X6** 封装。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Dual-N+N
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：17mΩ
- VGS=10V：11mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：40A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：BSC112N06LD-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升系统效率。
- **模块示例**：在笔记本电脑、服务器电源和通信设备中，该器件可用于同步整流和负载开关，确保电源的高效转换和稳定输出。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：在电机驱动应用中，BSC112N06LD-VB 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。其高电流能力和低导通电阻使其在电机驱动模块中能够提供高效的功率输出，减少热损耗。
- **模块示例**：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，该器件可用于电机驱动电路，确保电机的高效运行和长寿命。