产品简介："### 型号应用简介

**BSC155N06ND-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **60V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS）承受能力，适用于高效率、高功率密度的应用场景。其低导通电阻（RDS(on)）在 **VGS=4.5V** 时为 **17mΩ**，在 **VGS=10V** 时为 **11mΩ**，使其在高电流应用中表现出色。此外，其阈值电压（Vth）为 **1.7V**，适合低电压驱动的应用。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：双 N 沟道（Dual-N+N）
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：17mΩ
- VGS=10V：11mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：40A
- **技术**：Trench（沟槽技术）

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：BSC155N06ND-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电源逆变器。其低导通电阻和高电流能力使其在电源管理模块中能够有效降低功耗，提升整体效率。
- **模块示例**：在服务器电源、通信电源和工业电源模块中，该器件可用于同步整流和功率开关，确保系统在高负载下稳定运行。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：该 MOSFET 适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低导通电阻的场合。其双 N 沟道设计使其在 H 桥电机驱动电路中表现出色，能够有效控制电机的启动、停止和方向。