产品简介："### 型号应用简介

AP4804MT-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计允许在单个封装中集成两个 MOSFET，适用于需要对称或互补开关的应用。

- **VDS（漏源电压）**：40V
该器件能够承受高达 40V 的电压，适用于中低压电源系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
栅极电压范围宽，提供了更大的设计灵活性。

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3.1V


- **VGS=4.5V 时的导通电阻**：6.5mΩ


- **VGS=10V 时的导通电阻**：5.5mΩ




### 应用领域与模块

1. **消费电子**
AP4804MT-VB 适用于智能手机、平板电脑等便携式设备的电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力有助于延长电池寿命并提高充电效率。

2. **工业控制**
在工业自动化设备中，该器件可用于电机驱动、电源转换和负载开关模块。其高可靠性和宽电压范围使其能够应对复杂的工业环境。

3. **汽车电子**
该 MOSFET 适用于汽车电子中的 DC-DC 转换器、LED 驱动和电池管理系统。其高电流能力和良好的散热性能使其能够满足汽车电子对可靠性和效率的高要求。