产品简介："### 型号应用简介

**DMTH45M5LPDWQ-VB** 是 VBsemi 品牌推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用 DFN5X6 封装。

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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
紧凑型封装，适合高密度 PCB 设计，减少占板面积。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计，支持双向电流控制，适用于同步整流和桥式电路。

- **VDS（漏源电压）**：40V
适用于中低压电源系统，如 12V/24V 电源转换和电池管理系统。

- **VGS（栅源电压）**：±20V
宽栅极电压范围，提供更高的驱动灵活性。

- **Vthtyp（阈值电压）**：3.1V
低阈值电压，适合低电压驱动场景，降低驱动电路设计难度。

- **RDS(on)（导通电阻）**：
- VGS=4.5V：6.5mΩ
- VGS=10V：5.5mΩ
低导通电阻减少功率损耗，提升系统效率。

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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
- **应用场景**：DC-DC 转换器、同步整流电路、电池充电器。
- **优势**：低导通电阻和高电流能力，显著提升电源转换效率，减少发热。
- **典型模块**：12V/24V 车载电源模块、服务器电源模块。

2. **电机驱动模块**
- **应用场景**：电动工具、无人机电机驱动、工业电机控制。
- **优势**：高电流承载能力和快速开关特性，适合高频 PWM 控制。
- **典型模块**：BLDC 电机驱动模块、步进电机驱动模块。