产品简介："### 型号应用简介

**NP29N04QUK-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双N沟道MOSFET，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **40V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于中高功率应用。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Dual-N+N
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：3.1V
- **导通电阻（RDS(on)）**：
- VGS=4.5V：6.5mΩ
- VGS=10V：5.5mΩ
- **连续漏极电流（ID）**：60A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **NP29N04QUK-VB** 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电池管理系统（BMS）。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电源转换效率要求较高的应用中表现出色。例如，在服务器电源、通信设备电源和工业电源模块中，该MOSFET可以有效降低功耗，提高系统效率。

2. **电机驱动模块**：
- 该MOSFET适用于电机驱动电路，特别是在需要高电流和低导通电阻的场合。例如，在电动工具、无人机电机驱动和家用电器（如洗衣机、冰箱）的电机控制模块中，**NP29N04QUK-VB** 可以提供高效的功率转换和可靠的性能。