产品简介："### 型号应用简介

**NP30N04QUK-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装形式具有优异的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于便携式设备和空间受限的模块中。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计使其能够同时处理两个独立的信号路径，适用于需要双通道控制的电路设计。

- **VDS（漏源电压）**：40V


- **VGS（栅源电压）**：±20V


- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3.1V


- **导通电阻**：
- VGS=4.5V：6.5mΩ
- VGS=10V：5.5mΩ


- **ID（漏极电流）**：60A

- **技术**：Trench


### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**
NP30N04QUK-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）和电源分配模块。其高效的开关性能能够显著降低功耗，提升系统效率。

2. **电机驱动模块**
在电机驱动应用中，该器件的高电流承载能力和低导通电阻能够有效降低电机驱动器的功耗和发热，适用于电动工具、无人机、机器人等领域的电机控制模块。

3. **LED 驱动模块**
由于其高开关效率和低导通电阻，NP30N04QUK-VB 也适用于 LED 驱动模块，尤其是在需要高亮度 LED 驱动的场合，能够提供稳定的电流输出并降低功耗。