产品简介："### 型号应用简介

**BSC076N04ND-VB** 是由 **VBsemi** 公司生产的一款双 N 沟道 MOSFET，采用 **DFN5X6** 封装。该器件具有 **40V** 的漏源电压（VDS）和 **±20V** 的栅源电压（VGS），适用于中低压、高电流的应用场景。
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### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
该封装具有紧凑的尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。

- **沟道类型**：Dual-N+N
双 N 沟道设计使其能够同时处理两个独立的信号路径，适用于需要多路控制的场景。

- **VDS（漏源电压）**：40V
适用于中低压电源系统，如电池供电设备、DC-DC 转换器等。

- **VGS（栅源电压）**：±20V

- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3.1V

- **导通电阻**：
- VGS=4.5V 时：6.5mΩ
- VGS=10V 时：5.5mΩ

- **ID（最大漏极电流）**：60A

- **技术**：Trench


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### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**
BSC076N04ND-VB 适用于 **DC-DC 转换器** 和 **电池管理系统（BMS）**。其低导通电阻和高电流承载能力使其能够在电源转换过程中减少能量损耗，提高系统效率。例如，在电动汽车的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电控制模块。

2. **电机驱动模块**
该器件适合用于 **电机驱动电路**，尤其是需要高电流和高效率的场合，如 **无人机电机驱动** 或 **工业机器人伺服电机控制**。其双 N 沟道设计可以同时控制电机的正反转，简化电路设计。