产品简介："### 型号应用简介

**IPG20N04S4-12A-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有低导通电阻和高电流承载能力。该器件适用于需要高效率和高功率密度的应用场景，如电源管理、电机驱动、电池保护等。其封装形式为 DFN5X6，体积小巧，适合紧凑型设计。

### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：Dual-N+N
- **VDS（漏源电压）**：40V
- **VGS（栅源电压）**：±20V
- **Vthtyp（典型阈值电压）**：3.1V
- **VGS=4.5V 时的导通电阻**：6.5 mΩ
- **VGS=10V 时的导通电阻**：5.5 mΩ
- **ID（漏极电流）**：60A
- **技术**：Trench

### 应用领域及模块

1. **电源管理模块**：
- **应用场景**：开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器
- **说明**：IPG20N04S4-12A-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理模块中表现出色，能够有效降低功耗，提高转换效率。

2. **电机驱动模块**：
- **应用场景**：电动工具、家用电器、工业电机
- **说明**：该 MOSFET 的高电流能力和快速开关特性使其非常适合用于电机驱动模块，能够提供稳定的驱动电流，确保电机的高效运行。

3. **电池保护模块**：
- **应用场景**：锂电池保护板、电动车辆电池管理系统
- **说明**：在电池保护模块中，IPG20N04S4-12A-VB 能够有效防止过充、过放和短路，确保电池的安全使用。