产品简介："### 型号应用简介

**IPG20N04S4L-11A-VB** 是 VBsemi 公司推出的一款高性能双 N 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造。
### 产品详细参数说明

- **封装**：DFN5X6
- **沟道类型**：双 N 沟道 (Dual-N+N)
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vthtyp)**：3.1V
- **导通电阻 (RDS(on))**：
- VGS=4.5V 时：6.5 mΩ
- VGS=10V 时：5.5 mΩ
- **漏极电流 (ID)**：60A
- **技术**：Trench

### 应用领域与模块

1. **电源管理模块**：
- **应用**：IPG20N04S4L-11A-VB 适用于高效率的 DC-DC 转换器、同步整流器和电池管理系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其在降压、升压和反激式转换器中表现出色，能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
- **模块示例**：在笔记本电脑、服务器电源和通信设备中，该 MOSFET 可用于同步整流和功率开关，确保电源模块的高效运行。

2. **电机驱动模块**：
- **应用**：该器件适用于电机驱动电路，如无刷直流电机 (BLDC) 和有刷直流电机的驱动。其高电流能力和快速开关特性使其在电机控制中能够提供精确的电流调节和高效的功率转换。
- **模块示例**：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，IPG20N04S4L-11A-VB 可用于电机驱动模块，确保电机的高效运行和精确控制。